Archiv - DDR3-Laptop-Arbeitsspeicher
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DDR3-Laptop-Arbeitsspeicher
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APA501a4a
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APA501a4
Arbeitsspeicher - 2x4GB, PC3-14900, Spannung: 1.35 V
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DDi8b18
Arbeitsspeicher - 2x4GB, PC3-12800, Spannung: 1.35 V
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DDi8b16
Arbeitsspeicher - 1 × 8GB in der Packung, Typ: DDR3L, Frequenz: 1866 MHz, Durchlässigkeit: 14900 MB/s, Spannung: 1,35 V, Modul: PC3-14900
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DDi8a18
Arbeitsspeicher - 1x8GB, PC3-12800, Spannung: 1.35 V
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DDi8a16
Arbeitsspeicher - 1x4GB, PC3-14900, Spannung: 1.35 V
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DDi4a18
Arbeitsspeicher 1x4GB, PC3-12800, Spannung: 1.35 V
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DDi4a16
Arbeitsspeicher - 2x8GB, PC3-14900, Spannung: 1.35 V
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DDi16b18
Arbeitsspeicher - 2x8GB, PC3-12800, Spannung: 1.35 V
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DDi16b16
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APA501a3
Arbeitsspeicher - 2 x 16 GB, PC3-14900, Duale Spannung 1,35 V / 1,5 V, CL13, 204pin, geeignet für Notebooks von Apple
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CR109j4a
Arbeitsspeicher - 2 GB, PC3-10600, Duale Spannung 1,35 V / 1,5 V, CL9, 204 Pins, Mac-kompatibel (Apple)
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CR109c2
Arbeitsspeicher - 16 GB, PC3-14900, Dual-Spannung, CL13, Spannung 1.35V / 1.5V, 204 Pin, für Apple
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CR109s1a
Arbeitsspeicher - 2x2GB, PC3-10600, Dual-Spannung, CL9, Spannung 1.35V/1.5V, 204 Pins, für Apple
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CR109h2a
Arbeitsspeicher - 4 GB, PC3-12800, Dual-Spannung, Single Ranked, CL11, Spannung 1.35V/1.5V, 204 Pin, für Apple
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CR102b6a
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ADP4b501f
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ADP4b501e
Arbeitsspeicher 2x 8 GB, PC3-12.800, Spannung 1,35 Volt
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DN904c10
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DN902n5
Arbeitsspeicher für Latitude E5470, E5270, E7270, Precision M3510, M5510, M7710, 2133 MH
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Bestellcode:
ADP4b501d
Arbeitsspeicher 1x4GB, PC3-12800, CL11, Spannung: 1.5 V, Eingetragen
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DSS0302d
Arbeitsspeicher - 1x8GB, PC3-12800, CL11, Spannung: 1.5 V, Registered
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DSS0302f4
Arbeitsspeicher - für ausgewählte Toshiba-Laptops
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DSS0397b
ArbeitsspeicherRAM (Arbeitsspeicher) Latenz
Die RAM-Latenz gibt die Zeit an, die der Speicher-Controller benötigt, wenn er einen Befehl an den RAM sendet und Daten liest. Die CAS-Latenz (z. B. CL9-9-9-24), die häufig in RAM-Spezifikationen zu finden ist, beschreibt jedoch nur die Gesamtzahl der Zyklen, nicht...
Die maximale Geschwindigkeit, mit der der Speicher Daten verarbeiten kann. Sie wird in MHz oder MT/s angegeben und erhöht sich mit jeder DDR-Generation um den Faktor 2 aufgrund der Verdoppelung des Speicherbustaktes. Die Auswirkung einer höheren Frequenz auf die...